化合物半導體器件
場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導體芯片，廣泛應用于 5G 通信基站、雷達、光纖通信等高頻電子設備。
作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
平板顯示（LCD/OLED/Micro-LED）
核心用途：制備透明導電薄膜（如氧化銦錫，ITO），作為顯示面板的電極層和觸控層。
LCD：用于玻璃基板的 ITO 薄膜，實現像素電極的導電功能。
OLED/Micro-LED：作為柔性基板（如 PI 膜）的透明電極，滿足柔性顯示對材料延展性的要求。
市場占比：全球超過 70% 的銦靶材用于顯示面板生產，是 LCD/OLED 產業鏈的關鍵材料。
存儲環境控制
溫濕度：存儲于干燥、恒溫環境（溫度 15~25℃，濕度≤40% RH），避免銦靶吸潮氧化（銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜，影響濺射效率）。
防塵防潮：用鋁箔或真空袋密封包裝，存放于潔凈柜中，防止灰塵附著或與其他化學物質接觸。
濺射氣體控制
氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導致銦靶氧化（氧化銦導電性下降，易形成電弧放電）。
氣壓調節：
直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。
射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據薄膜厚度要求動態調整。
