純化技術(shù)
區(qū)熔法：一種通過熔化和重新結(jié)晶來純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質(zhì)，提高其純度。
電解精煉：利用電化學(xué)反應(yīng)將銦從雜質(zhì)中分離出來。將銦材料作為陽極，置于電解液中，通過施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。
化學(xué)純化：利用化學(xué)反應(yīng)去除銦中的雜質(zhì)，例如通過溶劑萃取和化學(xué)沉淀等方法，可有效分離和去除雜質(zhì)，提高銦的純度。
功率與溫度管理
濺射功率：
銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。
直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。
靶材冷卻：
采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。
定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。
濺射時(shí)間與沉積厚度
厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。
靶材利用率：避免過度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。
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