供IGBT使用的驅(qū)動(dòng)電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的觀點(diǎn)看 ,還沒有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看，IGBT驅(qū)動(dòng)器可分成兩大類,一類采用光電耦合器,另一類采用脈沖變壓器,兩者均可實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸及電路的隔離。
為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。IGBT驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)功能， 實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。
提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但若ce過大，則負(fù)載短路時(shí)其c隨ce增大而增大，對(duì)其不利，使用中選GE《15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通，一般選UGE -- 5V為宜。
IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。