當力作用于硅晶體時，晶體的晶格產生變形，使載流子從一個能谷向另一個能谷散射，引起載流子的遷移率發生變化，擾動了載流子縱向和橫向的平均量，從而使硅的電阻率發生變化。這種變化隨晶體的取向不同而異，因此硅的壓阻效應與晶體的取向有關。
這種傳感器采用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上,制成硅壓阻芯片,并將此芯片的周邊固定封裝于外殼之內，引出電極引線（概述圖）。壓阻式壓力傳感器又稱為固態壓力傳感器，它不同于粘貼式應變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。
傳感器的端部是高彈性鋼質薄膜，頭部充滿低黏度硅油，起傳遞壓力和隔熱作用。敏感元件硅杯浸在硅油中，被測壓力通過鋼膜片和硅油傳遞給硅杯，硅杯的集成電阻通過金屬引線與絕緣端子相連,在印制電路板上有各種補償電阻。
壓阻式傳感器是在圓形硅膜片上擴散出四個電阻，這四個電阻接成惠斯登電橋。當有應力作用時，兩個電阻的阻值增加，增另外由于溫度影響，使每個電阻都有變化量。且用線性方程近似求解可充分利用較為成熟的線性方程組的數值方法理淪，使問題大大簡化，因此在實際應用中仍具有重要意義，而參量變化較大時，忽略交叉靈敏度對于求解精度影響較大。
